未来の磁気メモリー材料として有望な新現象が見つかった。瞬間的に大きな磁場を発生できるパルスマグネットを用いた精密な実験の結果、ビスマスフェライトでこれまで知られていなかった新たな方向の電気分極を発見し、その電気分極が磁場によって制御できることを、東京大学物性研究所の徳永将史(とくなが まさし)准教授らが実証した。 このビスマスフェライトにおける新しい電気分極は室温で磁気メモリーとして使える特性を備えていた。未来の磁気メモリー材料開発につながる発見といえる。産業技術総合研究所、福岡大学、上智大学、青山学院大学との共同研究で、1月9日付の英オンライン科学誌ネイチャーコミュニケーションズに発表した。 コンピューターメモリーの高密度化は、微細加工技術の進展に支えられてきたが、高密度化は限界を迎えつつあり、原子レベルでメモリーとして機能する物質の開発が待ち望まれている。その有力な候補物質として、磁性