焦点：次世代ＮＡＮＤで日韓2強が火花、３Ｄ対応に違いも８月２６日、記憶用半導体のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーをめぐり、韓国サムスン電子と東芝の２強による競争が激化する気配を見せている。都内で昨年５月撮影（２０１３年 ロイター/Yuriko Nakao） ［東京 ２６日 ロイター］ - 記憶用半導体のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーをめぐり、韓国サムスン電子<005930.KS>と東芝<6502.T>の２強による競争が激化する気配だ。両社はこれまで微細化技術によるコスト低減と大容量化を追求してきたが、サムスンが８月から３次元（３Ｄ）という新技術で量産に乗り出した。東芝は当面、最先端の微細化で対抗し、１５年の３Ｄによる量産準備を同時に進める。 堅調なスマートフォン（多機能携帯電話）やタブレット（多機能携帯端末）向けの需要取り込みを目指し、戦略に違いが出始めた両社。多額の設備投資をかける次世代メモリー競争でつまずけば、ともに経営の屋台骨を揺るがしかねな
