１兆回繰り返し使える強誘電体メモリー材料のしくみを解明－ "魔法の置換" 有害な鉛を使わない新材料開発へ新しい展望 －
１兆回繰り返し使える強誘電体メモリー材料のしくみを解明 － "魔法の置換" 有害な鉛を使わない新材料開発へ新しい展望 － BL02B2（粉末結晶構造解析） 国立大学法人広島大学と国立大学法人東京大学は、独立行政法人理化学研究所、独立行政法人科学技術振興機構、財団法人高輝度光科学研究センターと共同で、次世代のメモリー材料として期待されている有害な鉛を含まない特殊なセラミックスが情報の書き込み・読み出しに対して高い耐久性を示すしくみをはじめて明らかにしました。 平成１９年１０月１日 国立大学法人広島大学 国立大学法人東京大学 独立行政法人理化学研究所 独立行政法人科学技術振興機構 財団法人高輝度光科学研究センター 国立大学法人広島大学（浅原利正学長）と国立大学法人東京大学（小宮山宏総長）は、独立行政法人理化学研究所（野依良治理事長）、独立行政法人科学技術振興機構（以下JST、北澤宏一理事長）、
結合制御が可能な量子ビットの実証に世界で初めて成功 ～量子アルゴリズム実行が可能な回路技術を開発～
日本電気株式会社（以下、ＮＥＣ）、独立行政法人科学技術振興機構（以下、ＪＳＴ）、独立行政法人理化学研究所（以下、理研）の三者（以下、本グループ）は、ビット間結合を制御可能な量子ビットの実証に世界で初めて成功しました。 量子コンピュータの実現には、その構成要素である量子ビットの量子状態の制御技術と、量子ビット間の情報のやり取りをダイナミックにオン／オフするビット間の結合制御技術の二つが必要となります。これまで本グループは、集積性に優れた固体素子を用いた世界初の量子ビットの実現や２量子ビット制御の成功など量子ビットの量子状態制御技術を確立してきました。今回の成果は、新たに開発した可変式結合回路により、量子ビット間の結合制御に世界で初めて成功したものです。この開発により、量子アルゴリズムに従った量子演算が初めて可能となり、量子コンピュータの実現に向けて大きな前進となります。 本研究成果の詳細は、
1
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
