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半導体に関するTetsu3のブックマーク (1)

  • 東芝、世界最大最速の不揮発メモリ「FeRAM」

    2月9日 発表 株式会社東芝は9日、不揮発性メモリとして世界最大容量の128Mbitで世界最速の転送速度1.6GB/secの性能を備える「FeRAM」を開発したと発表した。 FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory/強誘電体メモリ)は、強誘電体の特性を利用した不揮発性半導体メモリ。今回開発されたFeRAMでは、チェーン構造を改良して省スペース化し、それに伴う信号量の低下を防ぐアーキテクチャを導入。これにより集積度をさらに高め、世界最大容量となる128Mbitを実現したという。 また、データ転送時に生じる内部の電源供給レベルの揺れを予測調整する電源回路を追加し、FeRAMの低消費電力で動作する特性とあわせて、従来の不揮発性メモリの8倍となる世界最速の1.6GB/secの転送速度を実現したという。 製造プロセスは130nm CMOS、容量は128Mbit

    Tetsu3
    Tetsu3 2009/02/09
    やっと出てきた次世代不揮発メモリ。NECエレクトロニクスはMRAMな模様。
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