次世代不揮発性メモリのスピン注入型MRAM高信頼読み出し方式を開発 : 富士通株式会社富士通研究所（注1）（以下、富士通研究所）とトロント大学（注2）は、次世代の不揮発性メモリ（注3）の一つとして期待されるスピン注入型MRAM（注4）について、従来から課題となっていた誤書き込みが発生しない高信頼な読み出し方式を世界で初めて開発しました。 携帯電話やPDAなど、多くの電子機器で広く使われているフラッシュメモリ内蔵マイコンに搭載されているNOR型フラッシュメモリは、近い将来、微細化の限界に達すると予想されており、代替となる微細化が可能で低消費電力な不揮発性メモリの実用化が求められていました。 今回、スピン注入型MRAMの課題の一つである誤書き込みの問題を解決し、将来の小型・低消費電力の電子機器で必要とされるフラッシュメモリの代替デバイスの実用化に向けて、大きく前進いたしました。 なお、今回の技術の詳細は、2月7日からサンフランシスコで開催されている半導体の国際会議「IS
