1億回以上書き換え可能なFe-NANDフラッシュメモリ | スラド ハードウェア
1億回以上の書き換えが可能な大容量フラッシュメモリが出現しそうだ。FujiSankei Business iの記事やTech-On!の記事などによれば、産業技術総合研究所と東京大学（竹内研究室）の共同研究で（プレスリリース）、FeFET（強誘電体ゲート電界効果トランジスタ）でNANDフラッシュメモリのメモリセルを作製したところ、1億回以上の書き換え耐性を持ち（従来は約1万回）、書き込み電圧は6V以下になるという（従来は20V）。また浮遊ゲートが存在しないため、セル間の容量結合ノイズが生じない等の理由により、微細化にも強く、将来の20nmや10nmプロセスにも対応すると期待される。どうやら、SSDの未来は明るそうだ。
脳活動を測定すると、意思決定を下す7秒前にその決断を予測できる？ | スラド サイエンス
脳の活動を測定すると、意思決定を下す7秒前にその決断を予測できるという研究が本家で紹介されています（WIRED記事より）。Nature Neuroscienceに掲載されたこの研究では、被験者がボタンを手で押す際の脳活動を測定したところ、被験者に「どちらの手でボタンを押すか」という意思決定が起きる7秒前に前頭葉前頭局における活動が測定でき、その時点で被験者が右手でボタンを押すか、左手で押すかを予測できたとのことです。研究では被験者が自分の意思を意識する前に、どちらの手でボタンを押すかはすでに意識下で決断が下されている、としています。実生活における人の決断はより複雑な条件の下に行われるため、今回の実験結果がそのまま当てはまらない可能性も勿論あり、また実験時の研究者の予測が外れることもあったとのことですが、意思を意識する前にすでに意識下で決断が成されているとすれば、人の「自由意志」とは果たして
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