150-1/2. パワーデバイスでSiC - 青草新吾の惺々著考 glocaleigyo
日本の産業集積で勝利の方程式は“強い素材と部材を使ったデバイス”ですが、今まさにテイクオフしつつあるのがSiC(炭化ケイ素)ウエハーとSiCを使ったSiCパワーデバイスです。 前頁158で新日鉄子会社の新日鉄マテリアルズがパワーデバイス向けのSiC(炭化ケイ素)ウエハーへの参入発表を記載しました。SiCウエハーは従来のシリコンウエハーよりも高価なので、導入時のイニシャルコストが高くなります。反面で、性能がとても良いことからランニングコストの削減を期待できます。イニシャルコストを長期使用によるランニングコストの削減累積で、トータルコストを下げることができる製品分野ではとても有望です。イニシャルコストをランニングコストで取り返すためには、使用期間が長いほど有利ですから、20年以上使う太陽光発電システムや電鉄向け、10年程度使う産業機械や自動車が有望市場です。半導体産業新聞2009年5月27日付
NECエレ、超解像LSIを発売 関連ビジネスを10年度100億円規模に
NECエレクトロニクスは11月6日、超解像技術をLSI化した「μPD9245GJ」を12月からサンプル出荷すると発表した。テレビの大型化が進み、高解像度な画像へのニーズが高まると見て、2010年度に超解像関連で100億円の受注を目指す。 NEC中央研究所と共同で開発した、少ないデータ解析でも鮮明な画像を実現できるアルゴリズム「1枚超解像技術」を標準システムLSIとして製品化する。最大画素数は1280×1024ピクセル／60fps、1366×768ピクセル／60fps。サンプル価格は3000円。 過去にとりためたSD品質の映像などを高解像度表示するDVDレコーダーやプレーヤーの製品化が容易になるほか、デジタルカメラで解像度を落として撮影した写真や動画を高画質に再生するといった用途も想定している。 12月から量産を始め、10年4月には月産100万個規模を計画している。ASIC用IPコアやシステ
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