東大、イオンの動きでトランジスタの制御性を最大で100倍向上
東京大学は、単一の自己形成量子ドットのゲートにイオン液体を初めて適用し、トランジスタの制御性を従来比で最大100倍に向上させたと発表した。 同成果は、同大 生産技術研究所の平川一彦教授、同ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構の柴田憲治特任講師らによるもの。同大学院 工学系研究科附属量子相エレクトロニクス研究センターの岩佐義宏教授らと共同で行われた。詳細は、英国科学誌「Nature Communications」に掲載された。 半導体では、トランジスタの微細化・高集積化によって性能を高めてきたが、これまでと同様の手法での微細化が限界を迎えつつある。近年、この壁を乗り越えようと、新原理である単一電子トランジスタ(Single-Electron Transistor:SET)に関する研究が活発に行われている。SETでは、単一の量子ドットを電子の通り道として用い、ここにゲート電圧を加えることで、電
iPhone 5sの「A7」はSamsung製──Chipworksの解析で判明
米Appleが9月20日に発売した新端末「iPhone 5s」に搭載されている新プロセッサ「A7」は韓国Samsung Electronics製──。半導体チップや電子機器の解析を手掛けるカナダChipworksが発売当日に5sを入手し、分解・解析した結果としてこう報告した。 同社によると、A7はSamsungの28ナノメートルHKMG（High-K Metal Gate：高誘電率膜・金属ゲート）プロセスで製造されているという。iPhone 5の「A6」はSamsungの32ナノメートルHKMGプロセス製だった。 A7については、Appleがスマートフォン市場で競合するSamsungを切り、台湾TSMCに製造を委託するとうわさされていた。 この他、ユーザーの動きを追跡するコプロセッサ「M7」はオランダNXP Semiconductors製（M7上の3軸加速度計は独Bosch Sensort
大学で学生に本当に教えたいこと。なぜ、竹内研の卒業生が半導体や家電メーカーに就職しないのか。 - 竹内研究室の日記
今年度も今日で終わりですね。今年は、５年前に東大で研究室を立ち上げた時に入学してきた畑中君が、無事博士を取って卒業。 そして、3年半にわたって研究室の中心となって活躍してきた、助教の宮地君がパーマネントの職を得て独立します。 学生だけでなく、研究員にとっても、大学の研究室は通過点。 ポスドク問題と言われるように、今や大学でパーマネントの職に就くのは非常に厳しい。 竹内研での活躍を評価されて、激戦を勝ち抜いたのは、本当にうれしいです。 これからは自分の研究室を立ち上げることになるのですが、健闘を祈ります。 さて、半導体メーカーが苦境に陥り、リストラが相次いでいる中で、よく「学生の就職はどうしているのですか？」と聞かれます。 今まで半導体業界の凋落と学生の就職を結びつけて考えたことが、実はありません。 今や、学生には「この会社、業界に就職しろ」と教員が指導する時代ではないです。 完全に学生の意
共同発表：トランジスターの理論限界を突破 次世代省エネデバイス実現へ
平成２４年６月１３日 科学技術振興機構（ＪＳＴ） Tel：03-5214-8404（広報課） 北海道大学 Tel：011-706-2610（広報課） ポイント スイッチング特性の良さを示すサブスレッショルド係数で世界最小の２１ｍＶ／桁を達成 現在の半導体集積回路に比べ回路全体で消費電力を１０分の１以下に低減が可能 デジタル家電の待機電力を大幅カット、モバイル機器電池の消耗を半分に低減する夢の省エネデバイスへ道 ＪＳＴ 課題達成型基礎研究の一環として、ＪＳＴ さきがけ専任研究者の冨岡 克広、北海道大学 大学院情報科学研究科の福井 孝志 教授らは、半導体中のトンネル効果注１）を用いることで、従来のトランジスター（電子の流れを電圧で制御してオンオフするスイッチ素子）の理論限界を大きく下回る低消費電力トランジスターの開発に成功しました。この素子はあらゆる電子機器の省エネルギー技術へ応用できます。
1
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
処理を実行中です
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】 iPhone 6sは性能と効率が大きく向上するFinFETのA9へ
EE Times Japan 世界最大のエレクトロニクス情報誌の日本版
