産総研：偽造できないセキュリティータグを有機エレクトロニクスで実現
有機デバイス特有のバラつきを利用して回路ごとに固有の番号を生成 安定な有機材料を利用することでエラー率の低いセキュリティータグを開発 パッケージに貼りつけて模造品を安価に防止できる技術として期待 国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）フレキシブルエレクトロニクス研究センター【研究センター長 鎌田 俊英】印刷デバイスチーム 吉田 学 研究チーム長、栗原 一徳 研究員、ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 安田 哲二】エレクトロインフォマティクスグループ 堀 洋平 主任研究員、小笠原 泰弘 研究員、片下 敏宏 主任研究員は、有機デバイスに特有のばらつきを利用して偽造を困難にするセキュリティータグ回路を開発した。 この回路は、作製時に有機デバイスに生じるわずかな素子間のばらつきを利用して、同じ設計の回路それぞれが異なった固有の番号を生成する。今回、
産総研、20nm幅の多層グラフェン配線を作製し、低抵抗、高信頼性を実証
産業技術総合研究所(産総研)は12月11日、2次元ナノカーボン材料である多層グラフェンを利用した20nm幅の微細配線を作製し、低抵抗、高信頼性を実証したと発表した。 同成果は、同所 ナノエレクトロニクス研究部門 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター(GNC)の近藤大雄特定集中研究専門員、中野美尚特定集中研究専門員、佐藤信太郎特定集中研究専門員らによるもの。詳細は、12月11～13日に米国メリーランド州ベセズダ市で開催される「2013 International Semiconductor Device Research Symposium(ISDRS 2013)」にて発表される。 LSIはこれまで、微細化により低消費電力化を図ってきたが、微細化の限界が近づくとともに、様々な弊害が指摘されている。最先端LSIの微細配線には銅が使用されているが、配線の微細化に伴い電流密度が高くなる
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