半導体メモリー記録密度10倍に？ 北海道大引用元：侮日新聞 （上略） 半導体メモリーは、ノートの文字が小さいほど多くの情報が書き込めるように、基板に回路を書き込む「メモリー線」が細いほど記憶容量が大きくなる。現在は光を使って書き込まれ、パソコンなどでの線幅は35～45nm。しかし「国際半導体技術ロードマップ」によると、今の技術で線幅を縮めても10nm前後で頭打ちとなり、記憶容量は2022年ごろに限界を迎えるため、代替技術が研究されている。 チームは、基板の材料としても使われるニッケルや金などの金属を、厚さ5～20nmの薄膜に加工。その膜の厚みをメモリー線として使い、書き込みに必要な電流の制御に成功。理論上、書き込む密度を現状の約１０倍に増やせるという。この技術では発熱の原因となる電気抵抗も1000分の1以下に抑えられた。海住助教は「より多くの情報を処理でき、省エネにもなる。実用化を目指したい」と話す。4 ：名無しのひみつ：2012
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