【レポート】Intelが22nmプロセスに採用するTri-gateトランジスタを読み解く | エンタープライズ | マイコミジャーナル2011年5月4日、Intelは次世代の22nmプロセスではトライゲート(Tri-gate)トランジスタを採用すると発表した。同Tri-gateトランジスタのプレゼン資料はIntelのWebサイト(注:リンク先はPDF)に公開されている。 これまでの一般的なMOSトランジスタは、図1のようにシリコン基板(Silicon Substrate)上に薄いゲート酸化膜(Gate Oxide)を挟んでゲート電極を設けるという平面構造であったが、今回のTri-gateトランジスタでは図2のように3次元構造に変わる。 図1 従来のプレナートランジスタ 図2 Intelのトライゲートトランジスタ Tri-gateトランジスタでは紙面奥行方向に延びているシリコンの薄い板(フィン)があり、それに直行するように少し厚めのゲートと書かれた板状の電極が設けられている。そして、ゲートとシリコンフィンの間には黄色で書か
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