青山学院大学は、Cu(銅)とIn(インジウム)、Ga(ガリウム)、Se(セレン)を含む薄膜を用いるCIGS系太陽電池*1)の変換効率を18.8%に高めることに成功した(図1)。薄膜成膜時にパルス・レーザーを用いるレーザー・アシスト成膜(LAD:Laser Assisted Deposition)法を適用したことが変換効率改善につながった。 図1 試作したCIGS太陽電池セル Ti基板上に、Mo裏面電極、厚さ2μmのCIGS光吸収層、ZnSバッファ層、ZnO高抵抗膜、ZnO:Al透明導電膜、MgF2反射防止膜とAl電極を積層した。面積0.5cm2のセル上で真性変換効率18.8%を達成した。開放電圧(VOC)は0.645V、短絡電流(JSC)は37.4mA/cm2である。 CIGS系太陽電池は、バルクSi(シリコン)を用いる太陽電池と比べて、コストが低い。製造工程がバルクSi系の1/2である