Micron Demonstrates 128GBps DRAM Memory(Expreview.com) 今年の2月にMicronは“Hybrid Memory Cube”と呼ばれるメモリの技術を明らかにした。そして先日のHot Chipsカンファレンスでこの未来のDRAM技術の可能性を示す試作品のデモンストレーションが行われた。 Micronによるとこの技術の鍵は「メモリの壁」へのブレークスルーだという。現行のDDR3-1600の帯域は12.8GB/sであるが、“Hybrid Memory Cube”では128GB/sを達成できるという。その一方で消費電力は現行のDDR3メモリの10%で済むという。 Hybrid Memory Cubeの要点を以下に示します。 帯域の拡大Single Hybrid Memory Cubeでは現行のDDR3モジュールの20倍以上の性能を実現できる。低消