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Ivy Bridgeで採用の新技術 トライゲートとはなにか？ (1/4)
メモリー編の途中であるが今回は予定を変更して、5月4日(現地時間)にインテルが発表した、22nmプロセスの「三次元トライゲート(Tri-Gate)・トランジスター」について解説したい。とは言っても、いきなり「トライゲートとはなんぞや」の話をしてもわけがわからないと思う。まずは基礎となるトランジスター(FET、電界効果トランジスター)の構造から説明しよう。 トランジスターの微細化と高速化の理屈をおさらい 図1は回路図に出てくるFETの構造である。これは「NMOS型」というタイプのFETであるが、この動作原理をごく単純化して説明すると、ソース(Source)とゲート(Gate)の間の電圧を変化させると、これに連動する形でソース/ドレイン(Drain)間の電流が変化する、というものだ。つまり電圧を変化させることで、ソースからドレインへの電流をオン/オフできるという仕組みである。 このNMOS型の
Intel，3年で14nmプロセス世代へ移行するAtomのロードマップを公表。Ivy Bridge＆Haswell世代では10〜20Wクラスの超薄型ノートPCも実現へ
Intel，3年で14nmプロセス世代へ移行するAtomのロードマップを公表。Ivy Bridge＆Haswell世代では10〜20Wクラスの超薄型ノートPCも実現へ ライター：本間 文 北米時間2011年5月17日，Intelは米カリフォルニア州サンタクララ市において投資家向け会議「Investor Meeting 2011」を開催した。その位置づけ上，基本的には“お金”の話がメインなのだが，4Gamer的にも気になるポイントがいくつかあったので，今回はそのあたりを中心に，Webcastされた（＝インターネット上で放送された）会議の内容をまとめてみたい。 Atomは2014年に向こう3年で14nmプロセスへ Intelの2010会計年度は，コンピューティングデバイスに対する旺盛な需要を背景に，堅調な成長を示した Investor Meeting 2011で登壇したPaul Otellin
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【笠原一輝のユビキタス情報局】 Intel、ノートPC向けの新熱設計枠と14nmプロセスのAtom