【IEDM】Samsungや日立が酸化物半導体でTFTやメモリ，ウエアラブル・コンピュータを目指した例も韓国Samsung Electronics Co.，Ltd.や同社の研究所Samsung Advanced Institute of Technology（SAIT），日立製作所中央研究所は，現在開催中のIEDM 2008で，インジウム（In），ガリウム（Ga），亜鉛（Zn）から成るアモルファス酸化物半導体（IGZO）を用いて試作した各種のTFTやメモリ構造についてそれぞれ発表した。特にSamsungグループは，3件も発表し，IGZOに対する取り組みの熱心さを示した。 IGZOは，TFTなどの半導体層向け材料として，アモルファスSiに比べてキャリア移動度が高く，低温多結晶Siに比べてバラつきが小さいことから次世代パネル用TFTとして注目されている。加えて，比較的低温でTFTを形成できることから，フレキシブル基板を用いたエレクトロニクス技術としても脚光が当たっている。 Samsungグループ
夢と小物のエンジニアリング: 生体反応ゲットだぜ
