世界最高性能の印刷可能な有機トランジスタを開発 | プレスリリース | NEDO
(1)低コストかつ高速の有機エレクトロニクスへ 大阪大学の竹谷純一教授らならびに広島大学の瀧宮和男教授らは、典型的な塗布型有機トランジスタの性能（0.1-1cm2/Vs）を1桁以上も上回る10cm2/Vsのキャリア移動度を有する有機トランジスタを開発しました。この性能は従来の結果を遙かにしのぐ値であり、これまで不可能とされてきた高速の有機エレクトロニクス素子への応用に道を拓くものです。例えば、ディスプレイパネルに利用した場合、従来のアモルファスシリコン材料を用いた場合より、1桁速い動画が表示可能となります。 (2)新規プロセス「塗布結晶化法」と新有機半導体材料「アルキルDNTT」（注）の開発 大阪大学の竹谷純一教授らは、溶液から有機半導体膜を形成する際に、有機半導体分子が規則正しく配列した結晶構造を実現する新しい成膜プロセス「塗布結晶化法」を開発しました。また、広島大学の瀧宮和男教授らは、
印刷を使っても高性能，東京大学とMax Planckがインクジェット技術でチャネル長1μmの有機トランジスタ開発
東京大学 准教授の染谷隆夫氏の研究グループはドイツMax Planck Institute for Solid State Researchと共同で，印刷技術を使いながらもチャネル長が1μmと短い有機トランジスタの開発に成功した。有機半導体には，p型トランジスタにはペンタセン，n型トランジスタにはフタロシアニン系のF16CuPcを用いており，キャリア移動度とオン/オフ比はp型で0.3cm2/Vsと106，ｎ型で0.02cm2と104を確保している。駆動電圧も低く，通常は数十Vのところを今回は2～3Vに抑えている。これらのトランジスタを使ったCMOSインバータ回路も試作しており，良好に動作することを確認した。基板には，ガラスやフレキシブルなプラスチックを使う。いずれの基板も上記の良好なトランジスタ特性を得られた。 今回試作した有機トランジスタは，有機半導体層上にソース電極とドレイン電極を形成
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