Micron，1GビットのDDR3規格DRAMを業界に先駆け出荷開始米Micron Technology, Inc.は，DDR3規格準拠品としては業界最大容量となる1GビットのDRAMを開発し，ユーザー向けに評価用サンプルの出荷を開始した（リリース）。今回の1Gビット品の量産は2007年初頭に開始する。同社は2Gビット品も開発中で，サンプル出荷を2007年初頭に始める。
東芝、論理アドレスアクセス方式採用のNAND型フラッシュメモリを開発
東芝は8月2日、携帯オーディオプレーヤー、パーソナルメディアプレーヤー、携帯電話などのデジタルコンシューマ機器向けに、論理アドレスアクセス方式を採用したNAND型フラッシュメモリ「LBA-NAND」を開発し、8月からサンプル出荷を開始すると発表した。 LBA-NANDは、NAND型フラッシュメモリインタフェースを搭載し、論理アドレスアクセス方式を可能にしたNAND型フラッシュメモリの新製品だ。 現在幅広く採用されている物理アドレスアクセス方式のNAND型フラッシュメモリでは、世代交代などにより仕様が変わると、その度に機器側のホストコントローラの仕様やドライバソフトウェアを変更する必要が生じるという問題があった。 今回の新製品では、論理アドレスアクセス方式の採用により、NAND型フラッシュメモリの仕様の相違を機器側のホストコントローラで管理する負担を軽減するとともに、ブロック管理、ECC処理
1
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
処理を実行中です
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
