「これはDRAMと3種の新メモリの比較で、電荷を蓄えたキャパシタから、抵抗値を変えるレジスタへとデータの格納方式が変わることを示している。」

Show のブックマーク 2012/08/29 20:36

<blockquote class="hatena-bookmark-comment"><a class="comment-info" href="https://b.hatena.ne.jp/entry/108424814/comment/Show" data-user-id="Show" data-entry-url="https://b.hatena.ne.jp/entry/s/pc.watch.impress.co.jp/docs/column/kaigai/555871.html" data-original-href="https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/kaigai/555871.html" data-entry-favicon="https://cdn-ak2.favicon.st-hatena.com/64?url=https%3A%2F%2Fpc.watch.impress.co.jp%2Fdocs%2Fcolumn%2Fkaigai%2F555871.html" data-user-icon="/users/Show/profile.png">【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】 DRAMとNANDフラッシュが終わり、新不揮発性メモリの時代が来る</a><ul class="comment-tag" style="list-style: none; margin: 0px;"><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E4%BD%93">半導体</a>]</li><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/%E9%96%8B%E7%99%BA">開発</a>]</li></ul><br><p style="clear: left">「これはDRAMと3種の新メモリの比較で、電荷を蓄えたキャパシタから、抵抗値を変えるレジスタへとデータの格納方式が変わることを示している。」</p><a class="datetime" href="https://b.hatena.ne.jp/Show/20120829#bookmark-108424814"><span class="datetime-body">2012/08/29 20:36</span></a></blockquote><script src="https://b.st-hatena.com/js/comment-widget.js" charset="utf-8" async></script>

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