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電気で書き換えるセレン・アンチモン・テルルを用いた。同方式で製造したＰＲＡＭはフラッシュメモリーに比べ、処理速度1000倍-1万倍。書き換え回数：40万回。使用材料融点が200度以上低い分、電力使用量も約4分の1。
biaslook のブックマーク 2006/01/12 18:51
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www.nikkei.co.jp2006/01/12
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