ショットキー効果で障壁が小さくなるようなもんかね； “両イオン分子の間には約５Ｖの電位差が生じており、２層グラフェンはその電位差を２．２Ｖ／ｎｍの電界として感知していることにより、半導体化した”

little_elephant のブックマーク 2012/12/01 20:07

<blockquote class="hatena-bookmark-comment"><a class="comment-info" href="https://b.hatena.ne.jp/entry/122405026/comment/little_elephant" data-user-id="little_elephant" data-entry-url="https://b.hatena.ne.jp/entry/s/www.jst.go.jp/pr/announce/20121130/index.html" data-original-href="https://www.jst.go.jp/pr/announce/20121130/index.html" data-entry-favicon="https://cdn-ak2.favicon.st-hatena.com/64?url=https%3A%2F%2Fwww.jst.go.jp%2Fpr%2Fannounce%2F20121130%2Findex.html" data-user-icon="/users/little_elephant/profile.png">共同発表：イオン性分子を塗布してグラフェンを半導体化できることを理論的に提示</a><ul class="comment-tag" style="list-style: none; margin: 0px;"><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/%E3%83%8A%E3%83%8E%E3%83%86%E3%82%AF">ナノテク</a>]</li><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/%E9%9B%BB%E5%AD%90%E7%89%A9%E6%80%A7">電子物性</a>]</li><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E4%BD%93%E7%89%A9%E7%90%86">半導体物理</a>]</li><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/%E7%82%AD%E7%B4%A0%E7%B3%BB%E6%9D%90%E6%96%99">炭素系材料</a>]</li></ul><br><p style="clear: left">ショットキー効果で障壁が小さくなるようなもんかね； “両イオン分子の間には約５Ｖの電位差が生じており、２層グラフェンはその電位差を２．２Ｖ／ｎｍの電界として感知していることにより、半導体化した”</p><a class="datetime" href="https://b.hatena.ne.jp/little_elephant/20121201#bookmark-122405026"><span class="datetime-body">2012/12/01 20:07</span></a></blockquote><script src="https://b.st-hatena.com/js/comment-widget.js" charset="utf-8" async></script>

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