共同発表：イオン性分子を塗布してグラフェンを半導体化できることを理論的に提示

平成２４年１１月３０日 科学技術振興機構（ＪＳＴ） Tel：03-5214-8404（広報課） 産業技術総合研究所 Tel：029-862-6216（報道室） 筑波大学 Tel：029-853-2040（広報室） ＪＳＴ 課題達成型基礎研究の一環として、産業技術総合研究所 ナノシステム研究部門 大谷 実 研究グループ付と筑波大学 岡田 晋 准教授らは、イオン性分子注１）を２層のグラフェン注２）表面に吸着させることによりグラフェンを半導体化できることを理論的に提示しました。また、吸着させるイオン性分子の種類を制御することにより、半導体化された２層グラフェンの伝導特性を制御できる可能性があることを理論的に示しました。 グラフェンは炭素原子が蜂の巣状に６角形のネットワークを形成したシートで、原子１層からなる究極の薄さと、そのシート上に高移動度の電子が存在することから、世界的に注目されている新材料

[chap_py]

やばい

[MORITA-1104]

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[terazzo]

化学的に安定するのかなー

[little_elephant]

ショットキー効果で障壁が小さくなるようなもんかね； “両イオン分子の間には約５Ｖの電位差が生じており、２層グラフェンはその電位差を２．２Ｖ／ｎｍの電界として感知していることにより、半導体化した”