“SETのゲート絶縁膜として、イオン液体を用いる電気二重層ゲートと呼ばれる新しい手法を用いることで、量子ドットにきわめて強い電場を加え、量子ドットを用いたSETの特性を格段に大きく電圧制御することに成功”

tkys0628 のブックマーク 2013/11/06 09:13

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東大、イオンの動きでトランジスタの制御性を最大で100倍向上

news.mynavi.jp2013/11/01

東京大学は、単一の自己形成量子ドットのゲートにイオン液体を初めて適用し、トランジスタの制御性を従来比で最大100倍に向上させたと発表した。同成果は、同大生産技術研究所の平川一彦教授、同ナノ量子情報エ...

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