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メモリセルの記憶ノードに金属やポリシリコンで電極を形成した「スタックトキャパシタ」を付加し、ソフトエラーの発生を抑制した構造的対策を施したSRAM
vcc のブックマーク 2015/07/23 13:08
ルネサス、エラーに強いSRAMの大容量品を追加[CPU][ソフトウェア][信頼性][原子力][半導体][回路]メモリセルの記憶ノードに金属やポリシリコンで電極を形成した「スタックトキャパシタ」を付加し、ソフトエラーの発生を抑制した構造的対策を施したSRAM2015/07/23 13:08
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eetimes.itmedia.co.jp2015/07/23
ルネサス エレクトロニクスは2015年7月、一般的なSRAMよりも500倍以上のソフトエラー耐性を持つ独自構造のSRAMで、大容量品を追加したと発表した。 セル構造でエラー対策 ルネサスエレクトロニクスは2015年7月、...
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メモリセルの記憶ノードに金属やポリシリコンで電極を形成した「スタックトキャパシタ」を付加し、ソフトエラーの発生を抑制した構造的対策を施したSRAM
vcc のブックマーク 2015/07/23 13:08
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ルネサス、エラーに強いSRAMの大容量品を追加
eetimes.itmedia.co.jp2015/07/23
ルネサス エレクトロニクスは2015年7月、一般的なSRAMよりも500倍以上のソフトエラー耐性を持つ独自構造のSRAMで、大容量品を追加したと発表した。 セル構造でエラー対策 ルネサスエレクトロニクスは2015年7月、...
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