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LEE Flash-G2はソース/ドレインは、高圧を掛ける必要がなくコア電圧で済むようにした技術。スタンダードMOSで構成できるため読み出し速度が高速化できる。面積も3分の1程度に小型化できる。
vcc のブックマーク 2015/08/13 09:39
SRAM同様、自由に配置できる混載フラッシュ[メモリ][Flash][半導体][回路][開発]LEE Flash-G2はソース/ドレインは、高圧を掛ける必要がなくコア電圧で済むようにした技術。スタンダードMOSで構成できるため読み出し速度が高速化できる。面積も3分の1程度に小型化できる。2015/08/13 09:39
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eetimes.itmedia.co.jp2015/07/27
SRAM同様、自由に配置できる混載フラッシュ:マスク4枚を追加するだけの低コスト製造対応(1/4 ページ) 不揮発メモリIPを手掛ける国内ベンチャー企業が、LSIのどこにでも配置できる新たな混載フラッシュメモリ技...
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LEE Flash-G2はソース/ドレインは、高圧を掛ける必要がなくコア電圧で済むようにした技術。スタンダードMOSで構成できるため読み出し速度が高速化できる。面積も3分の1程度に小型化できる。
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SRAM同様、自由に配置できる混載フラッシュ
SRAM同様、自由に配置できる混載フラッシュ:マスク4枚を追加するだけの低コスト製造対応(1/4 ページ) 不揮発メモリIPを手掛ける国内ベンチャー企業が、LSIのどこにでも配置できる新たな混載フラッシュメモリ技...
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