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既存のDRAMは、微細化がきわめて困難になってきたため、長期的にはマルチレベルSTT MRAMへ移行するだろう。3D XpointはDRAMや3D NANDの相補技術であり、DRAMとNANDの中間に位置するストレージクラス・メモリとして使われる。
vcc のブックマーク 2016/08/30 08:59
どうなる? 次世代の半導体プロセス技術(1) 存在意義を失ったITRSロードマップ[メモリ][次世代メモリ][回路][半導体]既存のDRAMは、微細化がきわめて困難になってきたため、長期的にはマルチレベルSTT MRAMへ移行するだろう。3D XpointはDRAMや3D NANDの相補技術であり、DRAMとNANDの中間に位置するストレージクラス・メモリとして使われる。2016/08/30 08:59
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news.mynavi.jp2016/08/27
2016年7月に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催された半導体製造装置材料展示会「SEMICON West 2016」の併催講演会で米国の半導体技術動向調査および製造コスト分析企業であるIC KnowledgeのScotten W. ...
4 人がブックマーク・2 件のコメント
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既存のDRAMは、微細化がきわめて困難になってきたため、長期的にはマルチレベルSTT MRAMへ移行するだろう。3D XpointはDRAMや3D NANDの相補技術であり、DRAMとNANDの中間に位置するストレージクラス・メモリとして使われる。
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どうなる? 次世代の半導体プロセス技術(1) 存在意義を失ったITRSロードマップ
2016年7月に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催された半導体製造装置材料展示会「SEMICON West 2016」の併催講演会で米国の半導体技術動向調査および製造コスト分析企業であるIC KnowledgeのScotten W. ...
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