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放射線照射による劣化の原因となる酸化膜を持たないので耐放射線性デバイスとして優れている.
otori334 のブックマーク 2021/01/06 07:40
高電子移動度トランジスタ - Wikipedia[半導体][疑問]放射線照射による劣化の原因となる酸化膜を持たないので耐放射線性デバイスとして優れている.2021/01/06 07:40
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ja.wikipedia.org2013/01/14
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放射線照射による劣化の原因となる酸化膜を持たないので耐放射線性デバイスとして優れている.
otori334 のブックマーク 2021/01/06 07:40
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高電子移動度トランジスタ - Wikipedia
ja.wikipedia.org2013/01/14
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