書き換え可能回数が多く、特にリードが高速で、DRAMより微細化やロジック混載に強いが、製造難、書き換えが比較的遅く(それでもflashより桁違いに速い)消費電力大、外部から破壊されやすいあたりが弱点と記憶している

YaSuYuKi のブックマーク 2021/07/20 19:41

<blockquote class="hatena-bookmark-comment"><a class="comment-info" href="https://b.hatena.ne.jp/entry/4705669575941917986/comment/YaSuYuKi" data-user-id="YaSuYuKi" data-entry-url="https://b.hatena.ne.jp/entry/s/www.nikkei.com/article/DGXZQOUC30BU00Q1A630C2000000/" data-original-href="https://www.nikkei.com/article/DGXZQOUC30BU00Q1A630C2000000/" data-entry-favicon="https://cdn-ak2.favicon.st-hatena.com/64?url=https%3A%2F%2Fwww.nikkei.com%2Farticle%2FDGXZQOUC30BU00Q1A630C2000000%2F" data-user-icon="/users/YaSuYuKi/profile.png">消費電力50分の1　次世代メモリー「MRAM」普及へ - 日本経済新聞</a><ul class="comment-tag" style="list-style: none; margin: 0px;"><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/tech">tech</a>]</li><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/semiconductor">semiconductor</a>]</li></ul><br><p style="clear: left">書き換え可能回数が多く、特にリードが高速で、DRAMより微細化やロジック混載に強いが、製造難、書き換えが比較的遅く(それでもflashより桁違いに速い)消費電力大、外部から破壊されやすいあたりが弱点と記憶している</p><a class="datetime" href="https://b.hatena.ne.jp/YaSuYuKi/20210720#bookmark-4705669575941917986"><span class="datetime-body">2021/07/20 19:41</span></a></blockquote><script src="https://b.st-hatena.com/js/comment-widget.js" charset="utf-8" async></script>

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