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「パフォーマンスを2倍向上させ、エネルギー使用量を85%削減する」←すごく期待しちゃうけど、ちゃんと製造できるのかな。「実用化はまだ数年先になりそう」/それまでにマイニング規制しておこうね。
mohno のブックマーク 2021/12/16 14:30
IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」[ITmedia][IBM][Samsung][半導体][技術][トランジスタ][ムーアの法則][バッテリー][IoT][マイニング]「パフォーマンスを2倍向上させ、エネルギー使用量を85%削減する」←すごく期待しちゃうけど、ちゃんと製造できるのかな。「実用化はまだ数年先になりそう」/それまでにマイニング規制しておこうね。2021/12/16 14:30
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www.itmedia.co.jp2021/12/16
米IBMは12月14日(現地時間)、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」(VTFET)と呼ぶ新たな設計アプローチ...
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「パフォーマンスを2倍向上させ、エネルギー使用量を85%削減する」←すごく期待しちゃうけど、ちゃんと製造できるのかな。「実用化はまだ数年先になりそう」/それまでにマイニング規制しておこうね。
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IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」
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米IBMは12月14日(現地時間)、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」(VTFET)と呼ぶ新たな設計アプローチ...
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