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mutinomuti のブックマーク 2023/11/15 18:45
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news.mynavi.jp2023/11/15
電気通信大学(電通大)は11月10日、従来よりも10倍以上の高密度かつ、細線直径の標準偏差が10％以下の高均一な「インジウムヒ素(InAs)量子ナノワイヤ」をシリコン(Si)基板上に作製する技術を開発したことを発表し...
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電通大、高密度・高均一な半導体量子ナノワイヤのSi基板への作成技術を開発
電気通信大学(電通大)は11月10日、従来よりも10倍以上の高密度かつ、細線直径の標準偏差が10％以下の高均一な「インジウムヒ素(InAs)量子ナノワイヤ」をシリコン(Si)基板上に作製する技術を開発したことを発表し...
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