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書き換え100万回か。NAND-FMEM置き換え狙いですね。そういえばいまMRAMはどうなってるんだろう。
tsz のブックマーク 2012/01/25 08:45
エルピーダ、新メモリ「ReRAM」を開発 高速で不揮発性[技術][Memory]書き換え100万回か。NAND-FMEM置き換え狙いですね。そういえばいまMRAMはどうなってるんだろう。2012/01/25 08:45
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www.itmedia.co.jp2012/01/24
エルピーダメモリは1月24日、次世代メモリ「ReRAM」(Resistance Random Access Memory:抵抗変化型メモリ)の開発に初めて成功したと発表した。不揮発性ながらNAND型フラッシュメモリと比べて高速で、情報機器用...
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エルピーダ、新メモリ「ReRAM」を開発 高速で不揮発性
エルピーダメモリは1月24日、次世代メモリ「ReRAM」(Resistance Random Access Memory:抵抗変化型メモリ)の開発に初めて成功したと発表した。不揮発性ながらNAND型フラッシュメモリと比べて高速で、情報機器用...
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