「次世代不揮発性メモリを実現する技術の候補にはほかに、相変化メモリ(PCM)や磁気メモリ(MRAM)などがある。その中で抵抗変化メモリ(ReRAM)を選んだ理由を、安達氏は明確に説明してくれた。」

nminorunminoru のブックマーク 2012/01/26 22:40

その他

このブックマークにはスターがありません。
最初のスターをつけてみよう!

【福田昭のセミコン業界最前線】 エルピーダ、2013年に8Gbitの抵抗変化メモリを製品化へ

    \ コメントが サクサク読める アプリです /

    • App Storeからダウンロード
    • Google Playで手に入れよう