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「次世代不揮発性メモリを実現する技術の候補にはほかに、相変化メモリ(PCM)や磁気メモリ(MRAM)などがある。その中で抵抗変化メモリ(ReRAM)を選んだ理由を、安達氏は明確に説明してくれた。」
nminoru のブックマーク 2012/01/26 22:40
【福田昭のセミコン業界最前線】 エルピーダ、2013年に8Gbitの抵抗変化メモリを製品化へ[NonvolatileMemory][Elpida]「次世代不揮発性メモリを実現する技術の候補にはほかに、相変化メモリ(PCM)や磁気メモリ(MRAM)などがある。その中で抵抗変化メモリ(ReRAM)を選んだ理由を、安達氏は明確に説明してくれた。」2012/01/26 22:40
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pc.watch.impress.co.jp2012/01/26
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「次世代不揮発性メモリを実現する技術の候補にはほかに、相変化メモリ(PCM)や磁気メモリ(MRAM)などがある。その中で抵抗変化メモリ(ReRAM)を選んだ理由を、安達氏は明確に説明してくれた。」
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【福田昭のセミコン業界最前線】 エルピーダ、2013年に8Gbitの抵抗変化メモリを製品化へ
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