『酸化ガリウムのパワー半導体、SiCよりも高耐圧・低損失に【前編】』へのコメント

SiCとGaNよりも、バンドギャップと絶縁破壊電界が大きい。

vcc のブックマーク 2012/06/16 21:40

<blockquote class="hatena-bookmark-comment"><a class="comment-info" href="https://b.hatena.ne.jp/entry/98091130/comment/vcc" data-user-id="vcc" data-entry-url="https://b.hatena.ne.jp/entry/s/xtech.nikkei.com/dm/article/FEATURE/20120518/219041/" data-original-href="https://xtech.nikkei.com/dm/article/FEATURE/20120518/219041/" data-entry-favicon="https://cdn-ak2.favicon.st-hatena.com/64?url=https%3A%2F%2Fxtech.nikkei.com%2Fdm%2Farticle%2FFEATURE%2F20120518%2F219041%2F" data-user-icon="/users/vcc/profile.png">酸化ガリウムのパワー半導体、SiCよりも高耐圧・低損失に【前編】</a><ul class="comment-tag" style="list-style: none; margin: 0px;"><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/%E3%82%A8%E3%83%8D%E3%83%AB%E3%82%AE%E3%83%BC">エネルギー</a>]</li><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/%E5%9B%9E%E8%B7%AF">回路</a>]</li><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E4%BD%93">半導体</a>]</li></ul><br><p style="clear: left">SiCとGaNよりも、バンドギャップと絶縁破壊電界が大きい。</p><a class="datetime" href="https://b.hatena.ne.jp/vcc/20120616#bookmark-98091130"><span class="datetime-body">2012/06/16 21:40</span></a></blockquote><script src="https://b.st-hatena.com/js/comment-widget.js" charset="utf-8" async></script>

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