ロームは同社の650ボルト耐圧窒化ガリウム(GaN)パワー半導体デバイスが、台湾デルタ電子の45ワット出力ACアダプターに採用された。一般的なGaNデバイスと比べ静電破壊耐量が約75%高く、製品の高信頼化につながる点などが評価された。GaNデバイスはサーバーや通信基地局の電源用途などで採用が進んでおり、ロームも市場開拓に取り組む。 ロームの650ボルト耐圧GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)「GNP1150TCA―Z」が、デルタ電子の急速充電タイプACアダプター「C4 Duo」に採用された。スマートフォンやノートパソコンへの充電用途を想定する。同トランジスタはESD保護素子を内蔵。デルタ電子は今後、他のアダプター製品にもロームのGaNデバイス採用を検討している。 GaN半導体はシリコン半導体と比べ耐電圧性能が高いことが特徴で、実装機器の省エネルギー化や小型化に貢献する次世代パワー半導
![GaNパワー半導体、ロームが市場開拓に挑む ニュースイッチ by 日刊工業新聞社](https://cdn-ak-scissors.b.st-hatena.com/image/square/33f9925e3f1bbc00c92282aa3c2d1dbc3aafae27/height=288;version=1;width=512/https%3A%2F%2Fimages.newswitch.jp%2Fimages%2F8a31065f-8a76-4b5f-87f4-3be5043fe925.jpg)