mRNAワクチンに代表されるバイオ工学の進化(人間の身体の工学的ハッキング) ChatGPT、StableDiffusionに代表される生成AIの進化 常温常圧超伝導(LK-99)の発見(※追試中) 人類の未来を明るくするか暗くするかは分からんが、次のステージには進みそうだな?
mRNAワクチンに代表されるバイオ工学の進化(人間の身体の工学的ハッキング) ChatGPT、StableDiffusionに代表される生成AIの進化 常温常圧超伝導(LK-99)の発見(※追試中) 人類の未来を明るくするか暗くするかは分からんが、次のステージには進みそうだな?
米IBMは12月14日(現地時間)、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」(VTFET)と呼ぶ新たな設計アプローチで、2021年には崩れると見られていたムーアの法則を今後何年にもわたって維持できるようになる可能性があるとしている。 VTFETは、ウェハの表面にトランジスタを重ねるfinFETなどと異なり、トランジスタをウェハに垂直に層状に重ね、電流をウェハ表面に垂直に流す設計。この構造で、トランジスタのゲート長、スペーサーの厚さ、接点サイズの物理的制約を緩和できるとしている。FinFET設計と比較して、「パフォーマンスを2倍向上させ、エネルギー使用量を85%削減する」という。
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