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Q値世界最高水準、光ナノ共振器の大量作製に成功:シリコンラマンレーザーの工業化に道(1/3 ページ) 大阪府立大学と産業技術総合研究所(産総研)の研究グループ*)は、「世界最高レベル」(産総研)という最高200万以上のQ値(共振器が光を閉じ込める強さを表す値)を持つ光ナノ共振器をフォトリソグラフィー法で作製することに成功したと2016年3月16日に発表した。100万以上のQ値を持つ光ナノ共振器をフォトリソグラフィー法で作製したのは「世界初」(同)としている。 *)大阪府立大学工学研究科の高橋和准教授、産業技術総合研究所電子光技術研究部門の森雅彦研究部門長、岡野誠研究員で構成 シリコンラマンレーザーや光メモリに必要 光ナノ共振器は、シリコンフォトニック結晶を用いて数百ナノメートル程度の小さな領域に光を閉じ込める共振器だ。100万を超える極めて高いQ値により、微小領域に光を強く閉じ込めることが
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