Q値世界最高水準、光ナノ共振器の大量作製に成功

Q値世界最高水準、光ナノ共振器の大量作製に成功：シリコンラマンレーザーの工業化に道（1/3 ページ） 大阪府立大学と産業技術総合研究所（産総研）の研究グループ＊）は、「世界最高レベル」（産総研）という最高200万以上のQ値（共振器が光を閉じ込める強さを表す値）を持つ光ナノ共振器をフォトリソグラフィー法で作製することに成功したと2016年3月16日に発表した。100万以上のQ値を持つ光ナノ共振器をフォトリソグラフィー法で作製したのは「世界初」（同）としている。 ＊）大阪府立大学工学研究科の高橋和准教授、産業技術総合研究所電子光技術研究部門の森雅彦研究部門長、岡野誠研究員で構成 シリコンラマンレーザーや光メモリに必要 光ナノ共振器は、シリコンフォトニック結晶を用いて数百ナノメートル程度の小さな領域に光を閉じ込める共振器だ。100万を超える極めて高いQ値により、微小領域に光を強く閉じ込めることが

[hareno]

チップ内光伝送がまた一歩実用化に近づいた。シリコン光共振器とシリコン発光素子が最後の壁だったから。