MEMS - Wikipedia
半導体プロセスを用いて作成されたギア（左下）とダニ（右上）の電子顕微鏡写真。（サンディア国立研究所 SUMMiTTM Technologies の好意による www.mems.sandia.gov） MEMS（メムス、Micro Electro Mechanical Systems）は、機械要素部品、センサ、アクチュエータ、電子回路を一つのシリコン基板、ガラス基板、有機材料などの上に微細加工技術によって集積化したデバイスを指す。プロセス上の制約や材料の違いなどにより、機械構造と電子回路が別なチップになる場合があるが、このようなハイブリッドの場合もMEMSという。 その製作には、LIGAプロセスや半導体集積回路作製技術をはじめとして、立体形状や可動構造を形成するために犠牲層エッチングプロセスも用いられる。 以前は、MEMSはセンサなどの既存のデバイスの代替を主な目的として研究開発が進められて
歴史：ReRAM - Wikipedia
ReRAM（英: resistive random access memory）は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリー。RRAM、抵抗変化型メモリなどとも呼ばれる。なおRRAMはシャープの登録商標である。 ReRAMは電圧印加による電気抵抗の大きな変化（電界誘起巨大抵抗変化、CER[1]効果）を利用しており、 電圧で書き換えるため（電流が微量で）消費電力が小さい 比較的単純な構造のためセル面積が約6F2（Fは配線の径で、数十nm程）と小さく、高密度化（=低コスト化）が可能 電気抵抗の変化率が数十倍にものぼり、多値化も容易 読み出し時間が10ナノ秒程度と、DRAM並に高速 といったデバイスとしての利点がある。 原理[編集] ReRAMのセル構造 電界誘起巨大抵抗変化には、金属酸化物と電極の界面での抵抗変化と、金属酸化物中での電導経路の抵抗変化の2種類の原理がある。このうち前
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