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歴史:ReRAM - Wikipedia
ReRAM(英: resistive random access memory)は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリ... ReRAM(英: resistive random access memory)は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリー。RRAM、抵抗変化型メモリなどとも呼ばれる。なおRRAMはシャープの登録商標である。 ReRAMは電圧印加による電気抵抗の大きな変化(電界誘起巨大抵抗変化、CER[1]効果)を利用しており、 電圧で書き換えるため(電流が微量で)消費電力が小さい 比較的単純な構造のためセル面積が約6F2(Fは配線の径で、数十nm程)と小さく、高密度化(=低コスト化)が可能 電気抵抗の変化率が数十倍にものぼり、多値化も容易 読み出し時間が10ナノ秒程度と、DRAM並に高速 といったデバイスとしての利点がある。 原理[編集] ReRAMのセル構造 電界誘起巨大抵抗変化には、金属酸化物と電極の界面での抵抗変化と、金属酸化物中での電導経路の抵抗変化の2種類の原理がある。このうち前
2013/07/30 リンク