シリコンゲルマニウムチップが500GHzの新記録--IBMとジョージア工科大、超低温環境でIBMと米ジョージア工科大学（GIT）は、華氏マイナス451度（摂氏マイナス268度）という超低温の環境を作り出すことにより、チップを500GHz以上で動作させることに成功した。これは、シリコンベースのチップとしては新記録となる。 この実験は、シリコンゲルマニウム（SiGe）チップの最高速度の限界を探るプロジェクトの一環だ。SiGeチップは通常のシリコンチップと似ているが、パフォーマンス向上と消費電力低減のためにゲルマニウムが加えられている。 しかし、ゲルマニウムを添加することでウエハ自体やウエハから作られるチップの製造費が膨らむため、SiGeチップは通常、ごく限られた市場向けの製品となっている。IBMはSiGeチップの販売を開始した1998年以来、数億個の同チップを販売してきたのに対し、携帯電話業界に出荷される通常のシリコンチップは、年間で数十億枚に達する（SiGeチップの製造工程では、
