2017年には1台のSSDで容量16TBも!? Samsung，SSD関連の新技術「3D V-NAND」を解説
2017年には1台のSSDで容量16TBも!? Samsung，SSD関連の新技術「3D V-NAND」を解説 ライター：米田 聡 2014年7月1日に掲載したレビュー記事，そしてイベントレポートでお伝えしたとおり，Samsung Electronics（以下，Samsung）の新型SSD「SSD 850 PRO」は，一般PCユーザー向け製品として初めて「3D V-NAND」（Three-Dimensional Vertical NAND）技術を用いたフラッシュメモリを搭載するのが最大の特徴だ。 3D V-NANDによる効果の一端は，SSD 850 PROの10年という保証期間に表れているが，実際のところ3D V-NANDとは何であって，将来のSSDに何をもたらすのか。今回は，Samsung主催イベント「2014 Samsung SSD Global Summit」のセッションに基づいて紹
フラッシュストレージ市場が日本でも本格化。Violin Memory、Pure Storageが相次いで国内参入
フラッシュストレージ市場が日本でも本格化。Violin Memory、Pure Storageが相次いで国内参入 いま、ストレージに内蔵されるデバイスはディスクドライブからフラッシュメモリのような半導体へと進化の途上にあります。この大きな変化の中で、1月21日と22日、米国の新興フラッシュストレージベンダが相次いで日本への参入を発表しました。いずれも企業の基幹業務向け共有ストレージアレイを、フラッシュメモリベースで開発したものです。 両社ともに、その最大の競合はEMCやNetAppといった共有ストレージアレイ市場にそびえ立つ大手ストレージベンダであり、そこへフラッシュストレージという新しい技術で立ち向かうことになります。それぞれの製品と戦略がどのようなものか取材しました。 Violin Memoryは独自技術で性能と信頼性を追求 21日に日本への本格参入を発表したのはViolin Memo
PR：2013年はフラッシュストレージが本格普及か？ その可能性を探る ［新野淳一×東京エレクトロンデバイス座談会］
PR：2013年はフラッシュストレージが本格普及か？ その可能性を探る ［新野淳一×東京エレクトロンデバイス座談会］ 高速にデータを読み書きでき、消費電力も少なく、衝撃にも強いという特徴から、スマートフォンやタブレット、PCのSSDなどで採用が進むフラッシュストレージ。コンシューマ製品において急速に普及が進んだ一方で、エンタープライズの領域ではコストの問題などもあり、なかなか採用が進んでこなかった。こうした中、「2013年は企業導入での成功事例が続々と出てくる」と指摘するのは、Publickeyの編集長 新野淳一氏だ。フラッシュストレージは本当に企業で普及するのか？ 新野氏とフラッシュストレージ製品の販売を手がける東京エレクトロンデバイスのキーパーソンに最新動向を聞いた。 （本記事は、ソフトバンク ビジネス＋ITの記事「新野淳一氏×TED座談会：2013年はフラッシュストレージが本格普及か
EMCがサーバサイドフラッシュの新製品投入、Fusion-ioとの競合強化へ。Violin Memoryもサーバサイドフラッシュ参入
EMCがサーバサイドフラッシュの新製品投入、Fusion-ioとの競合強化へ。Violin Memoryもサーバサイドフラッシュ参入 サーバのPCIeにフラッシュストレージを直結することで、従来のストレージよりも圧倒的に高速なデータへのアクセスを実現するサーバサイドフラッシュは、新興ベンダーのFusion-ioがほぼ単独で切り開いてきたカテゴリです。いま、このカテゴリに相次いで競合ベンダからの製品投入が相次いでいます。 EMCジャパンは7日、同社のサーバサイドフラッシュであるXtremSFにeMLCチップを用いた新しいモデルを投入すると発表しました。 同社は昨年、SLCチップを用いたサーバサイドフラッシュ製品を1種類発表し、サーバサイドフラッシュ市場へ参入していましたが、今回はeMLCチップを用いて550GBから2.2TBまでの容量を持つ4つの製品を相次いで投入し、ラインナップの充実を図り
フラッシュメモリがITインフラを大きく変えていく。使いこなすためにアプリからインフラまで見渡せる人材を。ガートナージャパン
フラッシュメモリがITインフラを大きく変えていく。使いこなすためにアプリからインフラまで見渡せる人材を。ガートナージャパン いまから3年後の2016年には、企業システム向けSSDの平均記憶容量は1テラバイトを超え、2012年からの5年間でメモリデバイスの容量単価は5分の1になる。 4月24日から今日まで開催中のガートナージャパン「ITインフラストラクチャ＆データセンターサミット2013」、初日のセッション「メモリの技術革新がもたらすITインフラとストレージの進化」では、リサーチ ディレクター 鈴木雅喜が、フラッシュメモリによるITインフラの大きな変化がこれから起きるとして、その変化にいまから備えるべきだと訴えました。 その大きな変化を引き起こす要素こそ、冒頭に記したフラッシュメモリを用いたストレージ容量の増大と単価の下落。特にSSDで1テラバイトを超えると多くの企業で業務用のデータベースが
DIMMメモリスロットにフラッシュストレージを差す、「Memory Channel Storage」をDiablo Technologiesが発表
不揮発性メモリであるフラッシュメモリをメインメモリのメモリスロットに装着することで、超高速のフラッシュストレージとして利用できる「Memory Channel Storage」を、米Diablo Technologyesが発表しました。 これまでフラッシュメモリを備えたストレージは、ハードディスクの代替としてのSSDやフラッシュメモリを搭載した共有ストレージアレイ、あるいはPCIeインターフェイスを備えたフラッシュストーレジ製品などがありました。 Memory Channel Storageは、PCIeインターフェイスよりもさらに高速なメモリバス経由でストレージにアクセスする仕組みで、あらゆるストレージと比べてもさらに高速なものになります。プレスリリースから引用します。 This innovative approach utilizes the industry standard DIMM
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