半導体製造技術のロードマップでは、193nmリソグラフィに限界が来たら、157nmフォトリソグラフィへと移行するはずだった。しかし、実際に普及したのは193nmの液浸リソグラフィであった。次の技術として名前が挙がるのはEUVだが、「この技術が実際に商業用途で利用されるかどうかは定かではない」と指摘する声がある。 半導体製造技術のロードマップでは、193nmリソグラフィ(波長が193nmのレーザーを使用したリソグラフィ技術)に限界が来たら、157nmフォトリソグラフィへと移行するはずだった。 Texas Instruments(TI)でフロントエンドプロセッシング担当マネージャを務めるJim Blatchford氏は、かつて、最先端の157nmフォトリソグラフィに関する交渉をまとめた経験がある。しかし、同氏は、当時まだ実証されていなかったこの技術について不安を抱いていた。そのため、SPIE(