450mmウエハーへの移行、業界は消極的
今後5～10年間は実用化されないとの声も 半導体業界はほんの数年前は450mmウエハーへの移行に積極的だった。だが、すくなくとも現時点では、その勢いはすっかり途絶えてしまっている。 米国の市場調査会社であるVLSI ResearchのCEO（最高経営責任者）で、半導体装置のベテランアナリストであるG. Dan Hutcheson氏は、「450mmはおそらく今後5～10年間は実用化されないだろう。ただし、半導体装置メーカー間の合意次第で、その動きが復活する可能性もある」と述べる。 IntelやTSMC、GLOBALFOUNDRIES、IBM、Samsung Electronics、ニューヨーク州立工科大学（SUNY Polytechnic Institute）が参加して450mmウエハーへの移行を目指す共同研究開発プログラム「Global 450 Consortium（G450C）」は、「今
「フライホイール」の長所を引き出し20年以上メンテ不要の蓄電システムを実現――サンケン電気の総合力
デバイスからモジュール、システムまで パワーエレクトロニクスの総合メーカー――。 サンケン電気と言えば、“半導体”をイメージする読者が多いだろう。事実、サンケン電気にとって、パワー半導体事業は売上高の過半を占める主力事業だ。 しかし、サンケン電気の主力事業は、半導体だけではない。半導体事業と同様に長年にわたり実績を積み重ねてきた2つの主力事業が存在する。半導体/電子部品を組み合わせたスイッチング電源などのパワーモジュール（Power Module）を展開するPM事業と、UPS（無停電電源装置）やパワーコンディショナーといったパワーシステム（Power System）を手掛けるPS事業の2つ。電源/パワー分野でデバイスからモジュール、そしてシステムまでをカバーする総合メーカーとして、サンケン電気は成長を続けてきているのだ。 社会のエコ/省エネ実現に向けた先端技術開発を加速 そして今、サンケン
政府の地雷？ 「若者人材育成」から読み解くひきこもり問題
政府の地雷？ 「若者人材育成」から読み解くひきこもり問題：世界を「数字」で回してみよう（54） 働き方改革（13）（1/10 ページ） 今回のテーマは「働き方改革」の「若者人材育成」です。「若者人材育成」をよく読み解いてみると、その根っこには、深刻な“ひきこもり”問題が存在していることが分かります。 「一億総活躍社会の実現に向けた最大のチャレンジ」として政府が進めようとしている「働き方改革」。しかし、第一線で働く現役世代にとっては、違和感や矛盾、意見が山ほどあるテーマではないでしょうか。今回は、なかなか本音では語りにくいこのテーマを、いつものごとく、計算とシミュレーションを使い倒して検証します。⇒連載バックナンバーはこちらから 「ひきこもり」に、私たちのマインド面からアプローチしてみる 厚生労働省が定義する「ひきこもり」とは、「仕事や学校に行かず、かつ家族以外の人との交流をほとんどせずに、
女性の活用と、国家の緩やかな死
「一億総活躍社会の実現に向けた最大のチャレンジ」として政府が進めようとしている「働き方改革」。しかし、第一線で働く現役世代にとっては、違和感や矛盾、意見が山ほどあるテーマではないでしょうか。今回は、なかなか本音では語りにくいこのテーマを、いつものごとく、計算とシミュレーションを使い倒して検証します。⇒連載バックナンバーはこちらから 後輩からレビューを受けた時のことです。 後輩：「江端さんは女性の労働問題（「女性活用」）を、男性を中心とした作られた企業や組織にあると見なしているようですね」 と、後輩は前回のコラムの原稿を見ながら言いました。 江端：「そうだけど？」 後輩：「もちろん、それは間違っていませんが、その観点だけ見ていると、いつまで立っても解決方法は見えてきませんよ」 江端：「と、言うと？」 後輩：「例えば、戦後の日本は、夫を戦争で失った妻や子どもを守ってきたという歴史があるのですよ
高効率を求めるなら、迷わず「GaN」を選ぶ時代が到来
GaN（ガリウムナイトライド／窒化ガリウム）と言えば、SiC（シリコンカーバイド／炭化ケイ素）と並んで、“次世代パワー半導体材料”として大きな注目を集めてきた。これまでのパワー半導体材料であるSi（シリコン／ケイ素）よりも電気的、物理的特性に優れ、より大きな電力を、より小さなサイズで、より低損失に扱える理想的なパワー半導体を実現する材料であり、“いずれは、Siにとって代わる”と目されてきた。 そして、いよいよ次世代パワー半導体が“Siにとって代わる時代”が到来した。GaNを用いたパワー半導体の商用量産が始まり、さまざまな機器に使われ始めている。もはやGaNパワーデバイスは“次世代パワーデバイス”ではなく“実用的な最新パワーデバイス”と呼ぶ方が相応な状況になっているのだ――。 Transphormが15年1月から6インチウエハーで本格量産 2015年1月、Transphorm（トランスフォー
熊本地震、半導体各社が工場の被害確認急ぐ
2016年4月14日夜に発生した熊本県を震源地とする大きな地震の発生を受け、熊本県内に製造拠点を持つルネサス エレクトロニクスなどの半導体メーカーでは翌15日朝から、被害状況の確認を急いでいる。 【2016年4月18日10:45時点の続報はこちら】 2016年4月14日夜に発生した熊本県を震源地とする大きな地震の発生を受け、熊本県内に製造拠点を持つ半導体メーカーでは翌15日朝から、被害状況の確認を急いでいる。 地震直後から稼働停止し、安全確保 ルネサス エレクトロニクスは、震度6弱の揺れを観測した熊本市南区にある川尻工場で、地震直後から稼働を停止し、15日朝現在、被害状況を確認中で、「状況を把握次第、Webサイトなどで情報を開示する」（広報担当）という。同工場は8インチウエハー対応の前工程製造拠点で、自動車向けを含むマイコンを中心に製造を実施している。ルネサスは、同じ熊本県内に、後工程製造
「ムーアの法則」継続の鍵となるか、Si/III-V族の“ハイブリッド”ナノワイヤ
「ムーアの法則」継続の鍵となるか、Si/III-V族の“ハイブリッド”ナノワイヤ：プロセス技術（1/2 ページ） IBM研究所が、Si（シリコン）とIII-V族化合物半導体を組み合わせたナノワイヤを形成する技術を発表した。独自の「TASE（Template-Assisted Selective Epitaxy）」という技術を使って形成する。TASEで作成したInAs（インジウムヒ素）のナノワイヤは、5400cm2/Vsの電子移動度を達成したという。「ムーアの法則」を継続させる鍵になるかもしれない。 「ムーアの法則」が再び勢いづく可能性がある。SOI（シリコン・オン・インシュレータ）基板のトランジスタチャネルなどに適した、III-V族化合物半導体ナノワイヤの形成が鍵になりそうだ。スイスのチューリッヒと米国ニューヨーク州ヨークタウンハイツに拠点を置くIBM Researchが発表した。 IBM
台湾の干ばつが深刻化――半導体業界も水の確保に追われる
台湾が深刻な水不足に襲われている。政府による給水制限が厳しくなる中、TSMCやUMCは、工場に水を配送する体制を整えている。 世界最大の半導体ファウンドリであるTSMCをはじめとする台湾の半導体メーカー数社は、水不足がさらに深刻化した場合に備えて、工場に水を配送する体制を整えているという。 TSMCは、AppleやQualcomm、NVIDIA、MediaTekなど主要なエレクトロニクス企業に半導体を提供している。政府が給水制限を強化した場合、TSMCは新竹（Hsinchu）と台中（Taichung）、台南（Tainan）にある工場の稼働を維持するために、3トントラック180台を使って水を配送する計画だという。 TSMCの広報担当ディレクタを務めるElizabeth Sun氏は2015年4月10日（台湾時間）、EE Timesに対して、「われわれは、政府の決定に応じるしかない。政府がTSM
カーボンナノチューブ素子のICチップ、 “せっけん”と“トレンチ”で実用へ前進
カーボンナノチューブ素子のICチップ、 “せっけん”と“トレンチ”で実用へ前進：材料技術（1/2 ページ） IBMの研究チームは、現行の標準的な半導体プロセスを使って、カーボンナノチューブを用いたトランジスタ素子を1枚のチップ上に1万個以上作り込むことに成功したと発表した。こうした成果は世界初であり、シリコンの次を担う半導体材料として期待されるカーボンナノチューブ・ベースの集積回路（IC）の商用化を大きく進展させると主張している。 シリコントランジスタの時代に別れを告げる――そのための準備が着実に進んでいる。 シリコン（ケイ素、Si）材料を使ったトランジスタは現在、微細化が物理的な限界に近づいている。連綿と続いてきた微細化の取り組みによって、物理的な寸法がナノスケールの領域に達しつつあるのだ。シリコンの物性や物理法則の面からみても、これまでのような性能向上はやがて得られなくなるだろう。従来
EUVは本当に実用化できるのか？
半導体製造技術のロードマップでは、193nmリソグラフィに限界が来たら、157nmフォトリソグラフィへと移行するはずだった。しかし、実際に普及したのは193nmの液浸リソグラフィであった。次の技術として名前が挙がるのはEUVだが、「この技術が実際に商業用途で利用されるかどうかは定かではない」と指摘する声がある。 半導体製造技術のロードマップでは、193nmリソグラフィ（波長が193nmのレーザーを使用したリソグラフィ技術）に限界が来たら、157nmフォトリソグラフィへと移行するはずだった。 Texas Instruments（TI）でフロントエンドプロセッシング担当マネージャを務めるJim Blatchford氏は、かつて、最先端の157nmフォトリソグラフィに関する交渉をまとめた経験がある。しかし、同氏は、当時まだ実証されていなかったこの技術について不安を抱いていた。そのため、SPIE（
「ばたつく相手でも大丈夫です」、高速負荷応答の非接触充電技術が開発
東京大学と慶應義塾大学の研究グループが開発した非接触充電システムを使えば、負荷が変動しているときにも安定して電力を供給できる。2つの送電コイルを使い、それぞれに供給する電圧の位相差を適応制御することで実現した。 金属電極を使わずに非接触で電力を供給するワイヤレス給電技術――。電気自動車やモバイル機器といった分野で今後の普及が見込まれているが、まだ解決すべき課題も多い。その1つが、電力を送る相手である負荷の変動に対して、安定的に電力を伝える制御手法だ。 東京大学と慶應義塾大学の研究グループは、負荷の変動に対して高い応答性を備えたワイヤレス給電（非接触充電）技術を開発し、「Embedded Technology 2011/組込み総合技術展（ET2011）」（2011年11月16～18日、パシフィコ横浜）でデモを披露した。 完全“フリー”なSSDを目指す 同研究グループではかねてより、高い信頼性
勘違いしてない？ “OJT”の意味
OJT（On the Job Training ）は、若手を育成する代表的なシステムです。しかし、現場によってはOJTがうまく機能していないケースも多く見られます。その原因は、“教え方が分からないベテラン”と“聞き方が分からない若手”の間に生じるミスコミュニケーションだと言えます。 →「いまどきエンジニアの育て方」連載一覧 いつの時代も“いまどき”はある 筆者自身、駆け出しのエンジニアだったころは「いまどきの連中は…」と言われ続けました。また、「新人類世代」と呼ばれることに対して、あまり良い気持ちを持っていませんでした。たまたまその時代に生まれ育っただけで、こちらが望んだわけではないのですから。 「ゆとり世代」についても、まったく同じことが言えるでしょう。その時代の大人たちが、勝手に「新人類世代」や「ゆとり世代」と名付けただけのことです。 いつの時代も「いまどきの若者は……」と言う人間は存
エンジニアが英語を放棄できない「重大で深刻な事情」
エンジニアが英語を放棄できない「重大で深刻な事情」：「英語に愛されないエンジニア」のための新行動論（3）（1/6 ページ） 今回は、皆さんの英語に対する漠然とした見えない不安や、将来、海外に放り出される可能性を、「目に見える不安」、すなわち「数値（確率）」として、きっちり提示したいと思います。私たちエンジニアの逃げ道が全てふさがれていることは明らかです。腹をくくって「英語に愛されないエンジニア」として、海外で戦う覚悟を決めましょう。 われわれエンジニアは、エンジニアである以上、どのような形であれ、いずれ国外に追い出される……。いかに立ち向かうか？→「『英語に愛されないエンジニア』」のための新行動論」 連載一覧 第1回と第2回に分けて、私の実体験を例に、「英語に愛されない者は何をしても愛されない」という本連載の出発点を説明しました。今こそ私たちは、英語への片思いを断ち切り、私たちの本分である
リチウムを超えるナトリウム二次電池、住友電工が開発
2015年の製品化を予定しており、電池のコストとして、2万円/kWhが視野に入りつつあるという。体積エネルギー密度は290Wh/Lと高い。これはリチウムイオン二次電池の体積エネルギー密度200Wh/Lを超えている。 リチウムを超えるナトリウム二次電池、住友電工が開発 アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「＠IT MONOist」「EE Times Japan」「EDN Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。本日はEE Times Japanの人気記事「リチウムを超えるナトリウム二次電池、住友電工が開発」をお届けします。 2015年の製品化を予定しており、電池のコストとして、2万円/kWhが視野に入りつつあるという。体積エネルギー密度は290Wh/Lと高い。これはリチウムイオン二次電池の体積エネル
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