インテル、1Uで容量1ペタバイトのSSD「Intel SSD D5-P4326」発売。QLC（1セルあたり4ビット）と64層の3D NAND技術を用いて大容量SSDを実現
このように1Uに高密度で搭載することで1ペタバイトの実装が可能。Intel SSD D5-P4326の記憶媒体としては、1セルあたり4ビットの記憶容量を持つQLC（Quad Level Cell）と、64層の3D NAND技術を用いたNAND型フラッシュメモリを採用。 QLCによってセルあたりの情報密度を高めた上に、それを64層分積み上げることで、大幅な大容量化を実現しています。 ただしQLCは読み書きの速度がそれほど速くないため、インテルはこの「Intel SSD D5-P4326」がウォームストレージ、つまり頻繁に読み書きが発生するため高速なアクセスが求められるホットストレージと、大容量データの長期保存が求められるアーカイブ向けのコールドストレージの中間的な役割として使われることを想定しています。 インテルはまた、2.5インチフォームファクターの「Intel Optane SSD DC
「ストレージクラスメモリ」がついに実用化。DRAMと同じDDR4スロットに挿せる不揮発性メモリ「Intel Optane DCパーシステントメモリ」と新Xeonプロセッサ、一般販売開始
「ストレージクラスメモリ」がついに実用化。DRAMと同じDDR4スロットに挿せる不揮発性メモリ「Intel Optane DCパーシステントメモリ」と新Xeonプロセッサ、一般販売開始 ストレージの世界では、不揮発性メモリによって構成されたフラッシュストレージの登場によって技術的にも市場的にも大きな変革が起こりました。かつて主流だったハードディスクドライブを基盤とした技術や製品は、すでに時代遅れなものになりつつあります。 それと同じような大きな変化が、今度はメモリの分野で起きようとしています。不揮発性メモリを大容量メインメモリに用いる、いわゆる「ストレージクラスメモリ」の実現です。 米インテルは4月2日、イベント「Data-Centric Innovation Day」を開催。DRAMと同じDDR4スロットにさせる不揮発性メモリ「Intel Optane DCパーシステント・メモリ」と、こ
インテル、ついに不揮発性のメインメモリ「Intel persistent memory」発表、実稼働デモ公開。2018年に新型Xeon「Cascade Lake」とともに登場予定
Intel persistent memoryはデータの保持に電力を必要としない、不揮発性メモリの一種だ。データをメモリからストレージに保存する必要がなくなるなど、コンピュータのアーキテクチャを一変させる可能性を持つ。 現代のコンピュータは基本的にメインメモリとしてDRAMを利用しています。DRAMはアクセスが高速な一方、容量あたりの単価は高く、それゆえ大量にコンピュータに搭載することが難しく、またデータを保持し続けるのに電力を必要とします。 このDRAMの能力と性質を補完するため、一般に現代のコンピュータには二次記憶装置として大容量で安価かつ電力がなくてもデータを保持し続けられるハードディスクドライブなどのストレージを備えています。 こうした現代のコンピュータの構造を一変させようとインテルが5月16日に発表したのが、大容量かつ低価格、しかもデータの保持に電力を必要としない、同社とマイクロ
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