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https://detail.chiebukuro.yahoo.co.jp/qa/question_detail/q1352062803 なるべく専門用語を使わずにいきましょう。 電子の居場所として、 もともと電子が存在している「電子が動けない場所(価電子帯)」と 「電子が自由に動ける場所(伝導帯)」のあいだの間隔です。 もともと価電子帯に存在する電子に、ある一定のエネルギーを与えて 電子が伝導帯に出て行ければその電子は自由に動けるようになります。電流が流れるということです。 金属など電気をよく通す物質では、この間隔がなく接しています。 したがって、電子はいつでも伝導帯に移動することができ、よく電流が流れます。 半導体では、それなりのエネルギーを与えればこの間隔を飛び越えて 電子が伝導帯に移動するので、金属ほどではないものの、ある程度の電流を流せます。 例えば、2種類の半導体を接合したダイ
情報通信研究機構などは、次世代パワー半導体材料の1つである酸化ガリウムを用いたMOSFETを開発したと発表した。酸化ガリウムは、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)よりも、パワー半導体に向く材料物性を備えるという。 情報通信研究機構(NICT)は2013年6月19日、タムラ製作所、光波の2社と共同で、次世代パワー半導体材料の1つである酸化ガリウム(Ga2O3)を用いたMOSFETを開発したと発表した。NICTでは、今回の開発成果について「世界で初めて」としている。 パワー半導体分野は、これまで他の半導体分野と同様、シリコン(Si)を材料に用いたデバイスが主流だ。しかし、さらなる高耐圧、低損失なパワー半導体を作製するには物理的な限界に直面しつつあり、Siよりも電気的特性に優れる新たな半導体材料を用いた次世代パワー半導体の開発が活発化している。 具体的には、Siよりもバンドギャップ*)
半導体の歴史は1950年頃の点接触型トランジスタから始まります。当初はゲルマニウムが用いられていましたが、その後特性が優れているシリコンが半導体製品の主材料となり、現在まで用いられてきました。 半導体製造装置の高精度化や、デバイス構造およびプロセスの最適化など、さまざまな技術の向上によりシリコン半導体製品は進化を続け、身の周りの電気機器の小型化や高性能化に大きく貢献してきました。 これに対し、特にパワー半導体の分野では、シリコンの物性値を大きく上回る化合物半導体を用いた素子開発、実用化が進んでいます。 そこで現在注目されているのが、SiC(呼び方:エスアイシー/シリコンカーバイド/炭化ケイ素)やGaN(呼び方:ガン/ガリウムナイトライド/窒化ガリウム)といった材料です。 シリコンは単体の物質であるのに対し、SiCは炭素とケイ素の化合物、GaNはガリウムと窒素の化合物であるため、これらを使っ
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