ゲート長1nmのトランジスタ、CNT活用で米が開発
米国のローレンスバークレー国立研究所が、カーボンナノチューブ（CNT）をゲートに用いて、ゲート長がわずか1nmのトランジスタを開発した。 「世界最小」をうたうトランジスタ カーボンナノチューブは、これまで数十年間にわたり、トランジスタで試験的に採用されてきたが、その用途はトランジスタ用チャネルに限られていた。しかし今回、ローレンスバークレー国立研究所（Lawrence Berkeley National Laboratory）の科学者たちが、カーボンナノチューブをゲートとして使用し、「世界最小」（同研究所）のトランジスタの開発に成功したという。 二硫化モリブデン（MoS2）のチャネルと、カーボンナノチューブのゲートを1つ使用した、1nmのトランジスタ（画像提供：米University of California at Berkeley（UC Berkeley：カリフォルニア大学バークレー校
バークレー研究所、ゲート長1nmの世界最小トランジスタを作製
ローレンス・バークレー国立研究所らの研究チームは、ゲート長1nmのトランジスタを作製し、デバイス動作を実証したと発表した。これまで報告された中では最小のトランジスタとなる。 最近10年ほどの間に、半導体デバイスの微細化は限界に近づきつつあると指摘されてきた。現在製品化されている最先端のシリコントランジスタはゲート長10～20nm程度だが、ゲート長5nmに達すると量子力学的な効果が大きくなり、デバイスの安定動作が困難になる。これが半導体微細化の物理的限界であると考えられてきた。 二硫化モリブデンをチャネル部に使用して短ゲート化を実現 トランジスタは基本的に、ソース、ドレイン、ゲートの3つの要素から構成される。ゲートに印加する電圧を制御することでソースからドレインに流れる電流量を制御することができるので、トランジスタのオン/オフ動作の切り替えが可能になる。ソース・ドレイン間で制御された電子が流
カーボンナノチューブトランジスタがシリコンを超えた！
カーボンナノチューブトランジスタがシリコンベースのトランジスタの性能を初めて上まったそうです。カーボンナノチューブと言えば、先日富士通が米Nantero社とカーボンナノチューブベースのFRAMの共同開発を発表したばかりですが、グラフェン同様に、CNTは今後ますます、あらゆる分野で利用が加速されていくのではないでしょうか。 ダイヤモンド(窒素欠陥)、CNT、グラフェンの炭素三兄弟(three carbon brothers)は、人類の未来を大きく変える可能性を秘めていると言っても過言ではありません。 カーボンナノチューブ(CNT) For first time, carbon nanotube transistors outperform silicon For decades, scientists have tried to harness the unique properties o
ウィスコンシン大学、カーボンナノチューブを使用したトランジスタの開発に成功
印刷する メールで送る テキスト HTML 電子書籍 PDF ダウンロード テキスト 電子書籍 PDF クリップした記事をMyページから読むことができます ムーアの法則が限界に近づき、従来からあるシリコン製のトランジスタをカーボンナノチューブ（CNT）製のトランジスタで置き換えることが不可避となりつつあるなか、ウィスコンシン大学マディソン校で材料工学を研究するチームが小さな、しかし確実な一歩を達成した。同チームは1インチ四方のウエハに複数のCNTを整列させ、シリコン製のトランジスタよりも高い性能を引き出すことに成功した。 今回製造されたCNTトランジスタ（quasi-ballistic carbon nanotube array transistors：準無散乱伝導CNTアレイトランジスタ）は、シリコン製のトランジスタに比べると1.9倍という電流密度耐性を示しており、単一ナノチューブでの性
シリコンよりも高速＆省電力なカーボンナノチューブでできたトランジスタの開発に成功
次世代の半導体材料と考えられる「カーボンナノチューブ」を使って、シリコン製トランジスタよりも高速＆省電力なカーボンナノチューブ製トランジスタの製作にアメリカの研究者が成功しました。 Quasi-ballistic carbon nanotube array transistors with current density exceeding Si and GaAs | Science Advances http://advances.sciencemag.org/content/2/9/e1601240 For first time, carbon nanotube transistors outperform silicon http://news.wisc.edu/for-first-time-carbon-nanotube-transistors-outperform-silicon
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【福田昭のセミコン業界最前線】 富士通が米社と共同開発する次世代メモリの恐るべき正体(前編)
Carbon nanotubes transistors thump silicon in current switching: Researchers
