また、ベース=エミッタ間の飽和電圧 Vbe = 1.0V である。 2SC1815データシート 増幅率の定義 : hFE = IC / IB 増幅して流したい負荷電流は IC = 26mA、増幅率 hFE=150より、ベース側に流すべき電流は IB = IC / hFE = 26mA / 150 = 0.17mA となり、ベース抵抗値 RBは、トランジスタのスイッチ用途という特殊な条件(飽和電流条件)の時に抵抗に掛かる電圧の「 ベース・エミッタ間飽和電圧 VBE = 1.0V 」を考慮して RB = ( V - VBE ) / IB = (5.0V - 1.0V) / 0.17mA ≒ 23kΩ なお、hFEは下図(オレンジ色の矢印)のように温度によって低下したりするので、だいたいhFE実測値の半分〜1/3程度で設計すれば良いそうだ。 2SC1815 hFEの温度による低下 つまり、hFE