なぜTSMCだけEUVプロセスで高い歩留まりを達成できるのか？TSMCは、EUVリソグラフィ(EUVL)工程で使用されるEUVマスク上に付着したパーティクル(異物微粒子)の除去に、従来の薬液や純水を大量に使うウエット洗浄プロセスから、より環境にやさしい「ドライクリーン技術(Dry-Clean Technique)」をすべての量産ラインに導入することで、EUVLプロセスにおける製造歩留まりの向上を図っていることを明らかにした。 ドライクリーン技術は薬液や純水のかわりに物理力でパーティクルを除去してウェハ表面を清浄化する「ドライクリーニング技術」とも異なり、付着したパーティクルを1粒ずつ組成分析して同定し、発生源を特定してその発生源を排除することにより、マスク上にパーティクルが付着せぬようにする手法である。なお、Dry-Clean Techniqueは、TSMCの独自の呼び方である。 クリーンルーム内でのマスク表面画像観察 (出所:TSMC Webサイト
