2024年6月2日、韓国・電子新聞は「HBM(High Bandwidth Memory、広帯域メモリー)市場に遅れて参入した米マイクロン・テクノロジーが、SKハイニックスやサムスン電子より高性能のHBM開発に相次ぎ成功し、韓国メモリーを脅かす存在に急浮上している」と伝えた。 業界によると、マイクロンの次世代HBM新製品は低電力性能評価で優秀な結果を出しており、SKハイニックス、サムスン電子より優位に立っている。関係者は「韓国HBM業界もマイクロンの低電力技術を認め、警戒し始めている」と話している。 マイクロンの次世代HBMは「HBM3E 12H」とみられる。同社は2月に公開した「HBM3E 8H」でも競合メーカー比30%電力効率の優れた製品を出し、NVIDIAへの供給に成功しており、「次世代HBMでもトップに立つ勢い」だという。 また、これまで弱点とされてきた生産能力(CAPA)も急速に