EDN Japanクロック＆タイミングデバイス、発振器メーカー一覧など機器の設計開発に役立つタイミングデバイスの情報をお届け。
ナノ・物質・材料・マルチスケール機能シミュレーション
PHASEの詳細情報 PHASEは、物質中の電子の状態を、密度汎関数理論に基づいて計算します。 PHASE で何が計算できるか？ 全エネルギー 電荷密度の分布 電子の状態密度 バンド構造 安定な原子構造 PHASE の特徴 Local Density Approximation (LDA) やGeneralized Gradient Approximation (GGA) を使って、密度汎関数法に基づいた電子状態の計算が可能です。この方法を使った計算結果がさまざまな学術雑誌に掲載されており、非常に信頼性の高い計算法であると言えます。 イオンコアの影響を擬ポテンシャルによって取り込み、価電子の波動関数を平面波により展開します。使用する擬ポテンシャルとしては、 Troullier-Martins 型のソフト擬ポテンシャルと、Vanderbilt 型のウルトラソフト擬ポテンシャルがあります。これ
研究室紹介 | 理化学研究所
理化学研究所の研究活動の特徴として情報統合本部、連携促進本部、開拓研究本部 /主任研究員研究室等、戦略センター、基盤センターの5つの異なる役割を持った体系に研究室を編成しています。そして理研が有する最先端の研究基盤を連携させ、研究分野を超えて効果的に研究を加速させるために最先端研究プラットフォーム連携（Transformative Research Innovation Platform of RIKEN platforms：TRIP）事業本部を設置しています。 研究室を主宰する主任研究員やチームリーダー等の名前から研究室を探したい方は研究室主宰者一覧をご利用ください。 ※組織図は「組織」ページをご覧ください。 ※（株）理研イノベーションについては理研イノベーションのホームページをご覧ください。 情報統合本部 イノベーションを創出する研究所運営システムを支える体制・機能を強化 情報統合本部
半導体技術ロードマップ専門委員会
●ワークショップ発表原稿 2007年度 (2008年3/6-7開催： コクヨホール) 3/6 STRJ WS 「半導体技術ロードマップ専門委員会」 第一部 3/7 STRJ WS 「半導体技術ロードマップ専門委員会」 第二部 2006年度 (2007年3/8-9開催： コクヨホール) 3/8 STRJ WS 「半導体技術ロードマップ専門委員会」 第一部 3/9 STRJ WS 「半導体技術ロードマップ専門委員会」 第二部 2005年度 (2006年3/9-10開催： ホテル フロラシオン青山) 3/9 STRJ WS 「半導体技術ロードマップ専門委員会」 第一部 STRJ WS 「半導体産業・技術開発の経済性検討小委員会」 の部 3/10 STRJ WS 「半導体技術ロードマップ専門委員会」 第二部 2004年度 (2005年3/3-4開催：
半導体技術の現状と今後について、東芝・石丸一成氏に聞く
IEDM 2007会場にて、Toshiba America Electronic Componentsのエンジニアリングディレクターで、IEDM 2007のPublicity Vice-Chairの石丸一成氏にお話を伺う機会を得た。東芝の半導体技術を中心に、現状と今後についてお話を伺った。 フラッシュメモリ技術の今後 東芝といえば、最近はNANDメモリで元気がいい。今回のIEDMで東芝は「マカロニフラッシュメモリ」と愛称される新しいフラッシュメモリ構造を発表した。しかし東芝は既に今年の6月にVLSI Symposiumにて、同種のメモリ構造を発表している。今回の発表での違いを聞くと、「VLSI Symposiumではコンセプトのみを紹介した。IEDMでは技術のより詳細を紹介した」ということだった。 「Optimal Integration and Characteristics of Ve
マイコン - Tech-On！
技術者を応援する情報サイト「Tech-On！」の中で，マイコンの情報を提供するクローズアップ・サイト「マイコン」です。電気ポットでもマイコン活躍 空だき防止や省エネ機能など 比較的早い時期からマイコンが使われている家電製品の一つに電気ポットがある。適温を維持するためにマイコンを使った温度制御システムが導入された。さらに最近の電気ポットには，マイコンを利用した機能が続々と加わっている。電気ポットの大手である象印マホービンに最新製品におけるマイコンの役割について聞いた。 （記事を読む、09/16 18:00) 米Zoran，幅広いビデオフォーマットのデコードをサポートするSTB向けプロセサ（09/25 19:15） 米Maxim，暗号化回路やセキュリティー監視機能を備えた32ビット・マイコンを発売（09/24 18:56） 三洋半導体，端子数が14本と少ない8ビット・フラッシュ・マイコンを製
Intel、45nmプロセスの詳細を発表
IEDM 2007にて11日、Intelによる量産45nmプロセス技術についての発表があった。講演のタイトルは「A 45nm Logic Technology with High-k+Metal Gate Transistors, Strained Silicon, 9 Cu Interconnect Layers, 193nm Dry Patterning, and 100% Pb-free Packaging」(講演番号10.2)。Intel初の45nmプロセス技術の学会発表とあって、発表会場には大勢の聴衆が詰め掛けた。 Intelは45nmプロセスにおいて、次のような技術を導入している。 High-Kゲート絶縁膜 メタルゲート 3世代目の歪シリコン技術 Low-k層間絶縁膜"CDO" 193nm ArFドライリソグラフィー このうち、High-Kゲート絶縁膜とメタルゲートについては、
科学技術 全て伝えます サイエンスポータル / SciencePortal
3月28日 農業は地球の環境悪化の緩和に重要な役割を果たす フランス農学・獣医学・林学研究院 アグリニウム会長 マリオン・ギュー 氏 3月8日 近未来SF漫画で描かれるテクノロジーの未来 漫画家 山田胡瓜さん 12月28日 「世界中の望遠鏡が協力して中性子星合体を観測 ―重力波と光の同時観測『マルチメッセンジャー天文学』の幕開けは、何を意味するのか?」 理化学研究所仁科加速器研究センター 玉川 徹 氏 5月1日 「次のアインシュタインはアフリカから」―フォーラム「NEF」第2回会合開催 国際部 4月20日 《JST主催》『女性研究者と共に創る未来』公開シンポジウムを開催 「科学と社会」推進部 4月13日 《JST共催》『ひかり×ひと』－『情報ひろばサイエンスカフェ』で大学院生と中高生らが語り合う 「科学と社会」推進部 4月11日 信頼できるがんの最新情報を届ける ―国立がん研究センターとヤ
トランジスタ、12月16日で生誕60周年に--世の中に与えた影響を考える
60年前の12月16日にベル研究所の科学者たち（William Shockley氏、John Bardeen氏、Walter Brattain氏）が世界初のトランジスタを作成したことで、それ以降の世界は大きく変わった。そこでトランジスタ60周年を記念する記事を今後何回かに分けて掲載する予定にしている。今回は、トランジスタの登場によって起こったことを大雑把ではあるが時代順にまとめてみた。 1．エレクトロニクスの夜明け。真空管は大量の電力を消費し、壊れやすいものであった。世界最初のコンピュータの1つであるENIACは重さ28トン、消費電力17万ワットで、その操作には複数のオペレータが必要であった。また、ENIACは1秒間に5000回の命令を実行することができた。1930年代に入ってから、ベル研究所は真空管を電子的なスイッチで置き換えることを目指していた。 2．非常識な支配者の誕生。技術的に言え
＜2004 VLSI速報＞TSMC，Siナノワイヤーでゲート長5nmに自信
Taiwan Semiconductor Manufacturing社(TSMC：台湾積体電路製造） Exploratory Technology Development-2 Department ManagerのFu-Liang Yang（揚 富量）氏（写真1）は，トランジスタ・チャネルにSiナノワイヤーを使うことで「ゲート長5nmも夢ではない」と宣言した。米国時間2004年6月17日，半導体技術に関する国際会議「2004 Symposium on VLSI Technology」において「5nm-Gate Nanowire FinFET」と題する講演の中で述べた。 Siトランジスタの微細化に関して，ゲート長20nm～10nmで微細化の限界を唱える向きがある。しかし，2002年ごろから学会などで，研究開発レベルではあるが，ゲート長10nm以下のトランジスタ開発の報告が相次いでいる。200
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標準化への取組み ～ EPCglobal::NEC技報
http://www.sijapan.com/content/l_news/2007/u3eqp3000001yfoa.html
http://www.sijapan.com/content/0505vol2/features/featurs_0505_1.html
http://www.sijapan.com/content/l_news/2007/u3eqp3000001viaa.html
【レポート】IEDM 2007 - AMD、IBM、High-K膜とメタルゲートを使わずpMOSで1mA/μmのオン電流を達成 | エンタープライズ | マイコミジャーナル
【レポート】IDF Spring 2005 - Process Technology 〜 65nmへは急速移行、CMOSの限界はいつ? (1) Manufacturing Update | パソコン | マイコミジャーナル
研究紹介｜物質化学研究室｜北海道大学理学部化学科
半導体／電子デバイス物理
インテルR CentrinoR Pro プロセッサー・テクノロジー: 特設サイト
非プレーナ型のFET研究を本格化した米Intelの狙い - Silicon Online - Tech-On!