別紙２ ＜理論説明＞
シリコンやGaAsでは、異種半導体どうしの接合界面で2次元電子ガスを形成する方法として、通常「変調ドーピング」という手法がとられます。これは、バンドギャップが大きい半導体層2（たとえばAlGaAs）に微量の不純物（たとえばSi）を添加することでハンドギャップが小さく純粋な半導体層1（GaAs）との界面に電子を導入するものです。この場合、不純物から放出された電子は、不純物とは空間的に離れているため、不純物に散乱されずに運動することができます。負電荷を帯びた電子は正電荷を帯びた不純物から電気的な引力を受けて界面に引き寄せられるので高い移動度を有する2次元電子ガスが形成されます。 一方、本研究で明らかになった「分極効果」による2次元電子ガス形成機構は、以下のように説明されます。上記と同様にバンドギャップが大小異なる半導体層2（MgZnO）および1（ZnO）の界面に電子が引き寄せられて2次元電子ガ
Mameda Engineering > 半導体の量子力学 > フェルミ分布関数(確率密度分布)
電子はフェルミオンとして振舞うと書いてきたが、フェルミオンの特徴とは何だろうか。フェルミオンはパウリの排他律に従う粒子である。Ｔ＝０の時は最低のエネルギー準位から順番に満たされて行き、温度が上がるにしたがって上の状態へ遷移して行く。すなわち全体のエネルギーが低い時のほうが密度が高い。 図2-5 これを厳密に数式で表したのがフェルミ分布関数である。 ……(式2-17) 図2-6 この密度分布関数は、温度が上がる、すなわち粒子郡が熱エネルギーを得て上のエネルギー準位に遷移することで密度が減少していく過程を示している。また、E1～E2という状態にある粒子の存在確率Ｐは次の式で表される。 ……(式2-18) F(E)が半減するエネルギーとしてフェルミ準位EFをとったことは非常に重要で、これによって半導体のエネルギーバンド理論にフェルミオンの振る舞いを当てはめることが出来るのである。 半導体の量子力
クローニッヒ・ペニーのモデル - Wikipedia
この記事は検証可能な参考文献や出典が全く示されていないか、不十分です。 出典を追加して記事の信頼性向上にご協力ください。（このテンプレートの使い方） 出典検索?: "クローニッヒ・ペニーのモデル" – ニュース · 書籍 · スカラー · CiNii · J-STAGE · NDL · dlib.jp · ジャパンサーチ · TWL (2015年9月) クローニッヒ・ペニーのモデル(英: Kronig–Penney model)は結晶内での電子の挙動を近似的に記述する量子力学的なモデルの1つである。周期的な井戸型ポテンシャル型の一次元のモデルであり、狭義には周期的にデルタ関数型のポテンシャルを持つモデルを指すこともある。1931年にラルフ・クローニッヒとウィリアム・ペニーによって提出された。バンド理論の基本的な枠組みをこのモデルで説明することができる。 クローニッヒ・ペニーのモデルのポテン
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量子コンピュータ、半導体チップで高精度な計算に成功 理研など：朝日新聞
http://www3.u-toyama.ac.jp/maezawa/QED17/QED7.pdf